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UPA2201T1M-T1-AT

  • 制造厂商:IDT(Integrated Device Technology,已被瑞萨电子收购)
  • 类别封装:单端场效应管,8-VSOF
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
  • (专注销售IDT电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

UPA2201T1M-T1-AT参数详情:

  • Renesas瑞萨完整型号:UPA2201T1M-T1-AT
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18.5 毫欧 @ 9A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-WSOF
  • 供应商器件封装:8-VSOF
  • UPA2201T1M-T1-AT的官网价格:0,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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