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TP65H480G4JSGB-TR供应商
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TP65H480G4JSGB-TR
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-PQFN（5x6）
- 技术参数：GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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TP65H480G4JSGB-TR参数详情：
- 型号:TP65H480G4JSGB-TR
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-PQFN（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 500A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:414 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:13.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- TP65H480G4JSGB-TR的官网价格：1:$2.18000|4000:$0.58877，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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