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TP65H070G4LSGEA-TR供应商
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TP65H070G4LSGEA-TR
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-PQFN（8x8）
- 技术参数：650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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TP65H070G4LSGEA-TR参数详情：
- 型号:TP65H070G4LSGEA-TR
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:3-PQFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 18A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 500A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.9 nC @ 12 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:588 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:3-PQFN（8x8）
- 封装/外壳:3-PowerTDFN
- TP65H070G4LSGEA-TR的官网价格：1:$7.84000|3000:$3.05000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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