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RJM0603JSC-00#12供应商
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RJM0603JSC-00#12
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:20-HSOP
- 技术参数：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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RJM0603JSC-00#12参数详情：
- 型号:RJM0603JSC-00#12
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:20-HSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
- FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600pF @ 10V
- 功率 - 最大值:54W
- 工作温度:175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）焊盘
- 供应商器件封装:20-HSOP
- RJM0603JSC-00#12的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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