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RJK03M9DNS-00#J5供应商
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RJK03M9DNS-00#J5
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-HWSON（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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RJK03M9DNS-00#J5参数详情：
- 型号:RJK03M9DNS-00#J5
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-HWSON（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.1 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:10W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-HWSON（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- RJK03M9DNS-00#J5的官网价格：503:$0.60000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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