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NP80N055NHE-S18-AY供应商
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NP80N055NHE-S18-AY
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：单端场效应管，TO-262
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
NP80N055NHE-S18-AY参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：NP80N055NHE-S18-AY
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3600pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA
- 供应商器件封装：TO-262
- NP80N055NHE-S18-AY的官网价格：0，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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