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NP80N055NDG-S18-AY供应商
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NP80N055NDG-S18-AY
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-262
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO262
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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NP80N055NDG-S18-AY参数详情：
- 制造商产品型号：NP80N055NDG-S18-AY
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO262
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.9 毫欧 @ 40A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：135nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6900pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），115W（Tc）
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-262
- NP80N055NDG-S18-AY的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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