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NE3513M04-T2B-A供应商
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NE3513M04-T2B-A
- 制造厂商:IDT(Integrated Device Technology,已被瑞萨电子收购)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:4 个超微型模具
- 技术参数:RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
- (专注销售IDT电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
NE3513M04-T2B-A参数详情:
- 型号:NE3513M04-T2B-A
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:4 个超微型模具
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 技术:GaAs HJ-FET
- 配置:N 通道
- 频率:12GHz
- 增益:13dB
- 电压 - 测试:2 V
- 额定电流(安培):60mA
- 噪声系数:0.65dB
- 电流 - 测试:10 mA
- 功率 - 输出:125mW
- 电压 - 额定:4 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:4 个超微型模具
- NE3513M04-T2B-A的官网价格:211:$1.43000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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