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NE3512S02-T1D-A供应商
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NE3512S02-T1D-A
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:S02
- 技术参数：RF MOSFET HFET 2V S02
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
NE3512S02-T1D-A参数详情：
- 型号:NE3512S02-T1D-A
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:S02
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET HFET 2V S02
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 技术:HFET
- 配置:-
- 频率:12GHz
- 增益:13.5dB
- 电压 - 测试:2 V
- 额定电流（安培）:70mA
- 噪声系数:0.35dB
- 电流 - 测试:10 mA
- 功率 - 输出:-
- 电压 - 额定:4 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装:S02
- NE3512S02-T1D-A的官网价格：313:$0.96000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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