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NE3210S01-T1B供应商
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NE3210S01-T1B
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：RF FET，*
- 技术参数：HJ-FET 13.5DB S01
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
NE3210S01-T1B参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号: NE3210S01-T1B
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 功能总体简述: HJ-FET 13.5DB S01
- 系列: -
- 晶体管类型: HFET
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
- 频率: 12GHz
- 增益: 13.5dB
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
- 电压 - 测试: 2V
- 额定电流: 15mA
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: 0.35dB
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
- 电流 - 测试: 10mA
- 功率 - 输出: -
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: 4V
- 封装/外壳: *
- 供应商器件封装:
- NE3210S01-T1B的官网价格：2.96，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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