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HAT3015R-EL-E供应商
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HAT3015R-EL-E
- 制造厂商：IDT（Integrated Device Technology，已被瑞萨电子收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOP
- 技术参数：NCH/PCH POWER MOSFET 200V 0.5A 2
- （专注销售IDT电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
HAT3015R-EL-E参数详情：
- 型号:HAT3015R-EL-E
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-SOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:NCH/PCH POWER MOSFET 200V 0.5A 2
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta），250mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120pF @ 10V，140pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2W（Ta）
- 工作温度:150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOP
- HAT3015R-EL-E的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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