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2SJ162
- 制造厂商:IDT(Integrated Device Technology,已被瑞萨电子收购)
- 类别封装:单端场效应管,TO-3P
- 技术参数:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
- (专注销售IDT电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
2SJ162参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:2SJ162
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):160V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 10V
- 功率 - 最大值:100W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
- 2SJ162的官网价格:0,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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